1. DQS门控位置漂移的问题
一旦DQS的门控位置被训练出来，DQS相对于门控信号的位置可能会发生漂移。这个漂移会减小最初训练的门控位置的裕量。漂移的原因可能是电压和温度的变化（VT变化），或者是来自SDRAM的未定义漂移。
2. DQS门控信号路径匹配
在DDR IP模块内部，DQS门控信号的路径延迟是通过设计与读命令路径和读DQS路径的延迟总和匹配来完成的。为了确保DQS门控信号与读取数据路径的延迟相匹配，设计使用了与读取命令路径相同的时序和组件来驱动DQS门控信号。这是通过将门控信号返回到PHY并通过专用的I/O接口（即PDQSG）传递来实现的，从而确保DQS门控信号的路径延迟与读DQS路径相匹配。
3. 匹配的关键组件
在DDR IP中，门控I/O（PDQSG）使用与读取命令I/O驱动（PDDRIO）和读取DQS I/O接收器（PDIFF）相同的驱动器和接收器组件。设计的目标是通过使用这些相同的组件，确保DQS门控信号路径的延迟与读命令和读DQS路径的延迟一致，从而自我补偿电压温度变化的影响。
4. LCDL（延迟线）对VT变化的影响
DQS门控信号路径中唯一没有与读取命令/数据路径匹配的主要组件是DQS门控LCDL（Delay Line）。这个延迟线负责确定门控信号的精细延迟。电压和温度变化会影响这个延迟线产生的延迟。因此，为了补偿这个效应，DDR IP使用延迟线VT补偿功能来补偿所有延迟线的VT变化。
5. LCDL VT补偿
对于DQS门控LCDL的延迟补偿，可以通过设置DXnGCR3.RGLVT来启用该功能。这意味着，当系统中的SDRAM没有显著的外部漂移时，标准的LCDL基于VT补偿机制就足够应对DQS信号与最初训练的门控信号之间的相对漂移。
总结
DQS信号的精确门控位置对DDR内存的性能至关重要。然而，DQS信号的延迟路径可能会受到电压和温度变化的影响，导致最初训练的门控位置出现漂移。为了避免这种漂移影响，DDR IP通过精确匹配DQS门控路径和读取数据路径的延迟来实现自我补偿。然而，DQS门控路径中的LCDL（延迟线）并不与其他路径完全匹配，因此必须通过一个专门的VT补偿机制来补偿由于VT变化带来的影响。这种补偿机制可以通过启用DXnGCR3.RGLVT功能来实现，从而保持DQS门控信号的稳定性。
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